铌靶材

铌靶材是一種用於物理研究和半導體製造等領域的重要材料。

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  • 產品介紹

    铌靶材是一種用於(yu) 物理研究和半導體(ti) 製造等領域的重要材料。

    產品特點

    高熔點：铌具有較高的熔點，約為(wei) 2477°C，因此铌靶材具有出色的耐高溫性能。

    良好的化學穩定性：铌具有良好的化學穩定性，在常溫下不易與(yu) 其他元素發生反應，因此铌靶材在使用過程中不易氧化或腐蝕。

    高密度：铌具有較高的密度，約為(wei) 8.57克/立方厘米，因此铌靶材具有較高的質量吸收能力。

    應用領域

    物理研究：铌靶材常用於(yu) 物理研究領域，如核物理實驗、粒子加速器、等離子體(ti) 物理等，用於(yu) 產(chan) 生高能量的離子束或電子束。

    半導體(ti) 製造：在半導體(ti) 製造工藝中，铌靶材常用於(yu) 物理氣相沉積（PVD）或磁控濺射（sputtering）等過程中，用於(yu) 沉積或鍍覆薄膜，製備電子器件、光學器件或塗層材料。

    製備方法

    粉末冶金法：铌粉末經過壓製、燒結等工藝製備成塊狀或片狀的铌靶材。

    熔煉法：铌可以通過真空熔煉或等離子弧熔煉等方法製備成塊狀或片狀的铌靶材。

    特殊合金

    有時，為(wei) 了改善靶材的特性，铌靶材可能會(hui) 添加其他元素，如鉻（Cr）、鈦（Ti）等，以調節材料的性能和應用範圍。

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