鉬鉭靶材

我們生產的鎢靶密度高，組織均勻，濺射的鎢薄膜具有低電阻、高耐熱等特性，廣泛用於半導體電子部件中，幷且很好的滿足了行業需求。

產(chan) 品分類：

產(chan) 品介紹

  • 高性能鎢基靶材

    產(chan) 品特性：
       1.高密度與(yu) 組織均勻性：我們(men) 生產(chan) 的鎢合金靶材具備極高的密度和組織均勻性，確保濺射過程中獲得的薄膜質量卓越。

       2. 低電阻與(yu) 高耐熱性：濺射所得的鎢薄膜展現出低電阻和高耐熱等特性，適用於(yu) 對材料性能要求嚴(yan) 苛的應用場景。

       3. 定製形狀與(yu) 高純度：提供鎢、鎢鈦（WTi）、鎢矽等多種靶材，形狀可根據客戶需求定製，純度可達鎢（5N）、鎢鈦（4N5）、鎢矽（4N5）級別。

    應用領域：

        1.半導體(ti) 及電子技術：鎢薄膜在半導體(ti) 工業(ye) 中用作柵電極或布線材料，滿足集成度、可靠性、功能特性和處理速度等日益增長的需求。鎢矽靶材則應用於(yu) 存儲(chu) 器（如DRAM）中，作為(wei) 有效的柵極歐姆接觸層。

        2.電光源：鎢合金靶材在電光源領域同樣具有廣泛應用，為(wei) 照明設備提供關(guan) 鍵材料支持。

        3.汽車工業(ye) 與(yu) 航空航天：在高端製造領域，鎢基靶材因其優(you) 異的性能而備受青睞，為(wei) 汽車工業(ye) 和航空航天領域的創新提供有力支撐。

    特定應用亮點：

        1.鎢鈦（WTi）薄膜：作為(wei) Al和Si之間的有效擴散阻擋層，主要通過物理氣相沉積（PVD）技術，利用磁控濺射WTi合金靶材獲得。高純度和高密度的WTi合金靶材，滿足複雜集成電路擴散阻擋層可靠性的要求。

        2.鎢矽靶材：在半導體(ti) 領域，特別是在存儲(chu) 器製造中，鎢矽靶材通過PVD技術製備的鎢矽薄膜，充當關(guan) 鍵的柵極歐姆接觸層，對薄膜性能產(chan) 生至關(guan) 重要的影響。

    產(chan) 品形態與(yu) 純度：

        1.形態：提供多種形態的鎢、鎢鈦、鎢矽靶材，形狀可根據具體(ti) 需求進行定製。

        2.純度：確保鎢合金靶材的高純度，滿足不同行業(ye) 和應用對材料純淨度的嚴(yan) 格要求。

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